Компания Samsung Electronics заявила о запуске массового производства своих новых 128-Гбит микросхем MLC NAND с технологией «3 бита на ячейку». В новинках используется передовой техпроцесс 10-нм класса. Эти чипы нацелены на использование в накопителях высокой ёмкости, а также встраиваемых NAND-решениях.

Как отмечает южнокорейский производитель, новые микросхемы отличаются самой высокой в отрасли NAND плотностью хранения информации. С использованием интерфейса Toggle DDR 2.0 скорость передачи данных достигает 400 Мбит/с. Новые чипы позволят компании увеличить в своём ассортименте количество моделей SSD ёмкостью свыше 500 Гбайт.

Первые в отрасли 64-Гбит MLC NAND-чипы с интерфейсом Toggle DDR 2.0

Напомним, в ноябре прошлого года Samsung начала выпускать 64-Гбит MLC NAND-чипы с использованием техпроцесса 10-нм класса. В феврале свои 128-Гбит NAND-чипы анонсировала компания Micron, но массовое производство новинок, судя по всему, ещё не стартовало. Они будут выпускаться с использованием 20-нм техпроцесса. В том же месяце свои 19-нм микросхемы ёмкостью 128 Гбит показала и компания Toshiba, но о начале серийного выпуска информация пока не поступала. Все новинки отличаются трёхуровневыми ячейками.

Источник

Метки: , , , , , , ,