Американская компания Nanochip Inc. на днях объявила, что продвинулась по пути разработки принципиально нового вида оперативной памяти, емкость которого будет измеряться не гигабайтами как в настоящее время, а терабайтами. Новые чипы объединят в себе участки энергонезависимой памяти с фазовым переходом (phase-change memory, PRAM) и систему чтения/записи, относящуюся к типу микроэлектромеханических (MEMS).

Согласно проекту, новинка получит стандартный DRAM-интерфейс, т.е для производителей модулей будет являться типичным представителем чипов оперативной памяти. Однако внутренним строением он будет напоминать скорее жесткий диск – по задумке инженеров информация будет храниться в фазовых ячейках, а ее считыванием/записью будут заниматься своеобразные «головки», на манер таковых у НЖМД. Компания обещает предоставить первый работающий прототип к 2009 году, старт массового производства намечен на 2010 год.

Первый прототип будет обладать ячейками размером 15 х 15 нм, емкость чипа составит 100 Гб. Учитывая терабайтные устремления Nanochip, размер ячеек памяти должен в скором времени приблизиться к 2 – 3 нм. Компания утверждает, что сможет обеспечить ежегодное удвоение емкости чипов памяти. Последнее будет достигаться не уменьшением проектных норм, как это принято у производителей чипов DRAM или NAND, а совершенствованием среды хранения информации и записывающих головок, вследствие чего сравнение нового типа памяти с жестким диском выглядит еще более уместным.